하이닉스반도체가 스위스의 메모리 기술 개발 업체 '이노베이티브 실리콘'과 신개념 메모리 반도체인 ‘Z램’에 대한 라이선스 계약을 체결했다.

하이닉스 (21,800원 700 3.3%)는 이번 계약에 따라 D램 업체로는 최초로 이노베이티브 실리콘으로부터 Z램에 대한 라이선스를 취득해 제품 개발을 진행하게 되며 양사의 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력하기로 했다고 14일 밝혔다.

일반적인 메모리 반도체인 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되지만 Z램은 캐패시터 없이 트랜지스터로만 구성돼 제품 크기는 물론 생산 비용까지 획기적으로 줄일 수 있는 차세대 메모리 반도체이다.

D램 내부의 각 기억소자는 전하를 담는 역할을 하는 캐패시터와 캐패시터를 여닫는 스위치 역할을 하는 트랜지스터로 이루어져 있으며 캐패시터가 전하를 담고 있으면 1, 전하를 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 방식으로 데이터를 저장한다.

Z램은 실리콘 온 인슐레이터 구조를 이용해 제작된 트랜지스터가 동작할 때 트랜지스터 내부에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용해 이를 0과 1상태를 표현하는 것으로 이용한다는 개념을 활용, 별도의 캐패시터 없이도 데이터의 저장이 가능한 기술이다.

이에 따라 기억 소자가 차지하는 크기가 크게 줄고 구조도 간단해져 제품 미세화나 고용량화에도 유리해질 뿐만 아니라 제작 비용 또한 줄어드는 장점을 가진다.

하이닉스는 2017년 세계 1위의 기업가치와 기술력을 보유한 세계 최고의 반도체 전문회사가 되는 것을 목표로 특화된 기술 경쟁력을 확보하기 위해 R&D 분야에 역량을 집중하고 있다.

이에 따라 이번 계약에 이어 앞으로도 반도체 산업계 내에서 제휴 및 협력을 지속적으로 확대해 점차 다양해지는 소비자들의 요구에 효과적으로 대처하고 변화하는 시장 상황에 적극 대응할 계획이다.

☞실리콘 온 인슐레이터 (Silicon on Insulator)= 실리콘-절연체-실리콘의 3층 구조로 되어 있는 웨이퍼로, 흔히 SOI라는 약어로 불린다. 전자 부품 내부에서는 서로 가까이 있는 도체들 사이에 불필요한 전기적 용량이 발생해 정상적인 동작에 나쁜 영향을 주는데 실리콘 온 인슐레이터 구조를 적용하면 회로를 형성하는 기판 표면과 하층 사이에 얇은 절연막이 있으므로 이와 같은 영향을 줄일 수 있다. 이에 따라 반도체의 동작 속도를 빠르게 할 수 있고, 소비 전력을 낮출 수 있다.