삼성전자가 세계 최대 메모리·스토리지 기술 콘퍼런스인 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 2개 부문을 수상하며 차세대 메모리 기술경쟁력을 다시 한번 입증했다.
삼성전자는 'FMS 2026'에서 열린 'FMS 어워즈'(Best of Show Awards)에서 V10 BV낸드로 '3D 낸드 혁신상'(3D & NAND Innovation Award)을, LPDDR(저전력 데이터 전송 메모리) 5X-PIM(Processing-In-Memory)으로 '차세대 메모리상'(Next-Gen Memory Award)을 각각 수상했다고 6일 밝혔다.
V10 BV낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 구현해 동일면적에서도 더 많은 데이터를 저장할 수 있는 차세대 V낸드 기술이다. AI(인공지능) 시대 급증하는 데이터 저장수요에 대응할 핵심기술로 평가된다.
삼성전자는 웨이퍼를 수직으로 접합하는 'BV(Bonding Vertical) 기술'과 V낸드 셀을 3개 층으로 나눠 연결하는 '3스택(Stack) 기술'을 결합해 초고적층 구조를 구현했다. 이를 통해 저장밀도를 높임과 동시에 전력소비와 발열을 줄여 성능과 운용효율을 함께 향상했다. 이같은 기술혁신성을 인정받아 V10 BV낸드가 '3D 낸드 혁신상'을 수상했다.
LPDDR5X-PIM은 삼성전자가 세계 최초로 LPDDR5X에 PIM 기술을 적용한 차세대 메모리제품이다. 메모리 내부에서 직접 연산을 수행할 수 있도록 설계된 것이 특징이다. 메모리가 자체적으로 데이터를 연산한 뒤 필요한 결과만 프로세서에 전달해 시스템 내 데이터 이동을 최소화하고 성능과 전력효율을 동시에 높인다. 특히 LPDDR5X-PIM은 AI 가속기와 HPC(고성능컴퓨팅) 등 저전력·고성능이 요구되는 분야에서 활용도가 높을 것으로 기대된다.
삼성전자는 "차세대 메모리 기술경쟁력을 세계적으로 인정받은 만큼 AI 시대를 선도할 메모리 기술 리더십을 더욱 공고히 하겠다"고 밝혔다.
한편 삼성전자는 6일(현지시간)까지 열리는 'FMS 2026'에서 차세대 메모리 로드맵과 AI 메모리 솔루션, 차세대 스토리지 기술 등을 선보이며 글로벌 고객과 업계에 미래기술 비전을 제시할 예정이다.