III-V 화합물반도체 에피 파운드리 전문기업 에피솔루션은 자사 신재철 대표가 '2026년 기술개발인의 날' 유공 정부포상에서 대통령표창을 받았다고 7일 밝혔다.
신 대표는 중적외선 양자폭포레이저(QCL)와 단일광자 검출기(SPAD) 등 광반도체 기반인 III-V 화합물반도체 에피 성장 기술을 개발·사업화해 국내 반도체·광소자 산업의 기술 자립과 공급망 강화에 기여한 공로를 인정받았다.
회사 측은 신 대표가 유기금속화학기상증착(MOCVD)으로 중적외선 대역에서 상온 연속 동작이 가능한 고출력 QCL 원천기술을 확보했다고 설명했다. 밸리형 활성층 구조를 적용해 기존 구조 대비 광출력을 1.5배 이상 높였으며, 관련 특허 출원과 기술이전도 마쳤다. 이 같은 성과로 2025년 '국가연구개발 우수성과 100선'에도 선정된 바 있다.
신 대표는 위스콘신-매디슨대에서 전기·컴퓨터공학 박사학위를 받고 일리노이대 어바나-섐페인에서 박사후연구원을 지냈다. 한국광기술원 선임연구원, 영남대 교수를 거쳐 현재 동국대 전자전기공학부 교수로 재직 중이다.
연구 성과를 산업 현장에 적용하고자 2024년 8월 설립한 에피솔루션은 해외 의존도가 높은 인듐인화물(InP)·갈륨비소(GaAs) 기반 III-V 화합물반도체 에피웨이퍼 국산화와 에피 파운드리 사업을 추진하고 있다. 고객이 요구하는 에피 구조 설계부터 MOCVD 성장, 측정·평가까지 맞춤형으로 제공한다. QCL, SPAD, 애벌란시 포토다이오드(APD), 인듐갈륨비소(InGaAs) 핀 포토다이오드(PIN-PD) 등에 쓰이는 에피웨이퍼를 개발·공급하며 국내외 기업과 대학, 연구기관으로 고객 기반을 넓히고 있다.
회사는 고객 평가로 사양이 확정된 제품을 반복생산과 장기공급으로 연결하는 사업모델을 구축 중이다. 이를 바탕으로 국내 공급 기반을 확보하고 글로벌 시장으로 사업영역을 확대한다는 전략이다.
에피솔루션은 최근 총 25억원 규모의 신규 투자유치도 마무리하고 있다. 회사 측은 이번 투자에서 투자 전 기업가치(Pre-money)를 100억원으로 평가받았다고 밝혔다. 확보한 재원은 에피 기술 고도화와 연구개발·생산 역량 확충에 투입하고, 중장기적으로 자체 생산 인프라를 구축해 반복생산·장기공급 수요에 대응할 계획이다.
신 대표는 "이번 대통령표창은 III-V 화합물반도체 연구성과가 연구실에 머물지 않고 산업에서 쓰이는 기술로 이어졌다는 점에서 의미가 크다"며 "국내에서 확보한 기술을 글로벌 시장으로 확대하겠다"고 말했다. 이어 "투자유치를 기반으로 기술과 생산 역량을 고도화해 에피솔루션을 글로벌 III-V 화합물반도체 전문 에피 파운드리 기업으로 성장시키겠다"고 덧붙였다.