에이프로세미콘, GaN 에피웨이퍼 양산…K반도체 수혜 [기업INSIDE]

박수연 MTN기자
2026.01.20 17:56
에이프로세미콘이 올해부터 650V급 8인치 GaN-on-Si 에피웨이퍼 양산을 시작하며, 상반기 최대 2000매 양산을 목표로 하고 있습니다. GaN-on-Si 에피웨이퍼는 실리콘 기판 위에 GaN 막을 성장시킨 것으로 기존 실리콘 웨이퍼 대비 내구성과 고전압 특성이 뛰어납니다.

[앵커멘트]

GaN(질화갈륨) 전력반도체 전문기업 에이프로세미콘이 올해부터 본격적인 GaN 에피웨이퍼 양산에 나섭니다.

AI(인공지능) 시대, 고효율·소형 전력 반도체 솔루션으로 각광받고 있는만큼 수혜 기대감도 큰데요.

기술 개발과 함께 모회사인 에이프로와의 시너지도 전망됩니다.

박수연 기자입니다.

[기사내용]

에이프로세미콘의 구미 신공장. 올해부터 650V급 8인치 GaN-on-Si 에피웨이퍼 양산에 돌입합니다.

[민경익 / 에이프로 부사장(공학박사) : 700억원을 들여 공장을 신축했고, 최근 G10 2대를 설치 완료했습니다. 작년 GaN-on-Si, GaN-on-SiC 반도체 개발을 마쳤고, 올해 양산을 개시할 예정입니다.]

현재 국내외 고객사와 양산 계획을 논의 중으로, 상반기 최대 2000매 양산을 목표로 수율 향상에 집중할 계획입니다.

[민경익 / 에이프로 부사장(공학박사) : 이 MOCVD 장비를 통해 에피를 성장시키는게 중요한데 성장을 담당하는 표준 레시피를 가지고 있고 고객의 요구에 맞게 커스터마이징이 가능합니다.]

GaN on Si 에피웨이퍼는 실리콘 기판 위에 GaN 막을 성장시킨 것으로, 기존 실리콘(Si) 웨이퍼 대비 내구성과 고전압 특성이 뛰어납니다.

전력 소모가 큰 전기차와 AI 데이터센터 등에 쓰이는 GaN 전력반도체의 핵심 기반으로 주목받고 있습니다.

[민경익 / 에이프로 부사장(공학박사) : GaN 소자는 고효율 스위칭이 가능한 것이 강점입니다. (스위칭할때) 저항에 의해 열이 많이 나게 되는데 GaN 소자로 만들 경우 이러한 저항을 현저하게 낮출 수 있어 고효율·고밀도·고속 스위칭에 유리합니다.]

이와 함께 AESA(능동위상배열) 레이더, 위성, 방산 등 통신 소자용인 4인치 GaN-on-SiC 양산에도 들어갑니다.

또 DB하이텍과 GaN 전력반도체 소자 생산을 위한 파운드리 공정을 함께 개발 중인 상황. 에피웨이퍼에서 소자까지 매출 포트폴리오가 넓어질 것으로 기대됩니다.

앞으로 모기업과의 시너지를 내는 동시에 기술 고도화를 통해 글로벌 GaN 전력반도체 시장에서 입지를 공고히 하겠다는 목표입니다.

박수연 머니투데이방송 MTN 기자

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