중국 메모리 반도체회사 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 셀 설계 기술인 '4F²(포에프스퀘어)'와 관련해 주요 기술 검증을 마쳤다고 밝혔다.
31일 펑파이 등 중국 매체들에 따르면 CXMT는 30일 3분기 실적 설명회에서 4F² 수직 채널 D램을 기반으로 한 6세대 공정 기술 플랫폼의 엔지니어링 샘플 검증을 완료했다고 밝혔다.
엔지니어링 샘플 검증은 개발 중인 기술을 실제 웨이퍼에 적용해 목표한 성능이 구현되는지 확인하는 단계다. 이후 고객사 검증을 거쳐 양산 여부가 결정된다.
4F²는 D램의 미세화 한계를 극복하고 집적도를 높이기 위한 차세대 기술로 꼽힌다. 현재 D램 주류 아키텍처는 6F²인데, 6F² 아키텍처에 비해 셀 면적이 줄어 단위 면적당 셀 수가 늘고 메모리 집적도가 높아진다.
CXMT는 올해 안에 이 기술을 적용한 첫 서버용 DDR5 메모리 모듈(RDIMM) 제품 샘플을 고객사에 보내 성능 평가를 받는다는 계획이다.
지난달 CXMT 차오칸위 CEO는 지난달 한 행사에서 연말까지 4F²를 이용한 DDR5 메모리 모듈을 올해 말까지 출시할 계획이라고 밝히면서 글로벌 반도체 업계에 파장을 던진 바 있다. SK하이닉스와 삼성전자 역시 이 설계 방식을 연구해 왔지만 아직 양산 계획을 밝힌 적은 없다.
CXMT는 실적 설명회에서 4F²를 차세대 선행 기술의 핵심 투자 분야로 꼽았다. 서버용 메모리 등 부가가치가 높고 집적도 요구가 큰 제품부터 적용한 뒤 다른 제품군으로 확대한다는 구상이다.