SK하이닉스가 AI(인공지능) 시대에 핵심 메모리 반도체로 부각된 HBM(고대역폭메모리)의 차세대 제품 샘플을 공급하기 시작했다. 삼성전자와 경쟁이 더욱 치열해질 전망이다.
SK하이닉스는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 'HBM4E'(7세대) 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다. 현재 양산 중인 6세대(HBM4)의 후속 모델이다.
SK하이닉스는 "그동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다"며 "핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다"고 밝혔다.
이번 신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps(초당 16기가비트)의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선해 AI 학습과 추론에 필수적인 데이터 처리 성능을 대폭 높였다.
또한 HBM4E는 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현했다. 이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있을 것으로 기대된다.
SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB(기가바이트) 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다. MR-MUF 공정은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다. 특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다는 설명이다.
SK하이닉스는 그동안 HBM3, HBM3E, HBM4 등을 연이어 엔비디아 등 글로벌 고객사에 공급하면서 독보적 입지를 굳혀왔다. 하지만 삼성전자가 HBM3E부터 본격적으로 HBM 시장에 진입하면서 경쟁체제로 바뀌었다. 앞서 삼성전자는 지난달 HBM4E 12단 샘플을 고객사에 공급했다. 당초 올해 중반으로 예정됐던 공급 계획보다 시기를 앞당겼다. 그만큼 수요가 폭증하는 동시에 경쟁이 격화되고 있다는 의미다.
SK하이닉스는 HBM 시장 1위 자리를 지키기 위해 총력을 기울인다는 입장이다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.