이재용 삼성전자 회장이 반도체 연구개발의 심장부를 찾아 강력한 기술 경쟁력 확보를 강조했다. 연말을 맞아 임직원들을 격려하면서 본격적인 회복세에 들어선 반도체 사업의 새로운 도약을 다짐하는 취지다.
22일 삼성에 따르면 이 회장은 이날 오전 삼성전자 경기 기흥캠퍼스 NRD-K를 방문해 차세대 반도체 기술 경쟁력을 점검하고 임직원들과 만나 대화했다. 2030년까지 20조원이 투자되는 NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설한 최첨단 복합 R&D(연구개발) 단지로서 공정 미세화에 따르는 기술적 한계 극복과 새로운 반도체 설계 기술 개발을 진행하고 있다. 이 회장은 2023년 10월 직접 공사 현장을 점검할 만큼 NRD-K에 애정을 가지고 있다.
이 회장은 이날 임직원과 대화 등에서 "과감한 혁신과 투자로 본원적 기술 경쟁력을 회복하자"고 말했다. 이 회장은 차세대 연구개발 시설을 점검하고 △메모리 △파운드리(위탁생산) △시스템반도체 등 핵심 사업 부문별 차세대 제품과 기술 경쟁력을 살펴봤다.
이어 이날 오후에는 화성캠퍼스를 방문하고 디지털 트윈(실제 장비, 작업 공정 등을 가상 환경에 동일하게 구현한 모델로 현장에 가지 않고 실시간 운영 분석·예측이 가능함)과 로봇 등을 적용한 제조 자동화 시스템 구축 현황과 AI(인공지능) 기술 활용 현황을 점검했다.
이 회장은 이곳에서 전영현 DS부문장, 송재혁 DS부문 CTO(최고기술책임자) 등 반도체 사업 주요 경영진과 글로벌 첨단 반도체 산업의 트렌드, 그리고 미래 전략 등을 논의했다. 이후 HBM(고대역폭메모리)·D1c(10나노급 6세대 D램)·V10(차세대 낸드) 등 최첨단 반도체 제품 사업화에 기여한 개발, 제조, 품질 직원들과 간담회를 갖고 현장 직원들의 의견을 들었다.
이번 이 회장의 사업장 방문은 연말을 앞두고 실적이 개선된 반도체 사업 임직원들의 사기 진작 차원에서 이뤄진 것으로 풀이된다. 삼성전자 반도체 부문은 AI산업발 수퍼사이클(초호황기)에 올라탄 데다 HBM 경쟁력 회복과 범용 D램의 가격 상승, 판매량 증가가 동시에 이뤄지면서 실적이 크게 개선되고 있다.
증권가에서는 삼성전자 메모리사업부 영업이익이 상반기 약 6조3500억원에서 하반기 23조원 이상으로 늘 것으로 예상한다. 올해 연간으로는 30조원에 육박하는 영업이익을 기록할 전망이다. 4분기 역대 최고 실적이 가능하다는 분석도 나온다.
특히 삼성전자는 최근 엔비디아 측으로부터 6세대 고대역폭 메모리 'HBM4'에 대해 높은 평가를 받으며 기대감을 높이고 있다. 업계에 따르면 삼성전자 HBM4는 내부 기술 평가에서 11.7Gbps(초당 11.7기가비트) 수준의 업계 최고 성능을 확보했다. HBM4의 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 표준 동작 속도인 8Gbps는 물론 최대 고객사인 엔비디아가 요구하는 것으로 알려진 10Gbps 이상 수준을 월등히 초과한 능력이다.
또 삼성전자는 LPDDR(저전력DDR) D램 기반의 차세대 D램 모듈인 소캠2의 샘플도 경쟁사보다 먼저 엔비디아에 공급하기도 했다.
삼성전자는 메모리는 물론 파운드리와 패키징 등을 모두 아우르는 종합 반도체 기업으로서의 경쟁력을 극대화한다는 전략이다. 로직다이부터 패키징까지 모든 공정을 일원화(Turn-key) 할 수 있고 생산능력도 세계 최대 수준이기 때문에 그 어떤 경쟁사보다 우위를 확보할 수 있다는 얘기다.
이 회장은 연말까지 현장 경영 등을 이어간 뒤 내년 초 서울 서초구 삼성전자 서초사옥에서 전 계열사 사장단을 소집해 '신년 사장단 만찬'을 개최할 예정이다. 만찬은 내년 1월6일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 개막하는 세계 최대 IT(정보기술)·가전 전시회 'CES 2026'에 앞서 열릴 것으로 보인다.