삼성전자가 세계 최초로 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔다. 지난 2월 최대 13Gbps(초당 기가비트)의 업계 최고 속도를 구현한 HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 양산한데 이어 약 3개월 만에 HBM4E 샘플까지 출하했다. 이번 HBM4E 출시로 단순한 제품 라인업 확대를 넘어 향후 수년 간 폭발적으로 성장할 글로벌 AI(인공지능) 인프라 시장에서 독보적인 공급 역량과 기술적 우위를 확고히 할 계기가 될 것으로 보인다.
실제로 삼성전자는 설계와 공정 최적화를 통해 HBM4E 성능을 극대화했다. 핀당 동작 속도도 14Gbps에서 최대 16Gbps를 지원한다. 전작인 HBM4 대비 20% 이상 향상시킨 것이다. 여기에 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트) 대역폭을 제공해 LLM(대규모 언어모델)과 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 최대한 끌어올렸다.
또 전작 대비 30% 이상 늘린 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현했다. 향후 고객사의 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대한다는 계획이다.
삼성전자는 특히 이번 신제품에 HBM4에 이어 1c(10나노급 6세대) 최선단 공정 기반의 D램과 자체 4나노(nm·1nm는 10억분의 1m) 로직 다이를 적용했다. 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하고 수율과 양산성을 확보했다. 아울러 저전력 설계·패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성도 14% 이상 크게 개선했다. 고부하 AI 연산 환경에서 치명적인 발열 문제를 해결해 글로벌 데이터센터의 전력 소모 절감에 기여할 수 있도록 만든 것이다.
삼성전자는 이날 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 HBM4E 12단 제품을 양산해 공급할 예정이다. 이를 위해 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 아우르는 '원스톱(One-Stop) 턴키 솔루션'을 기반으로 공급 안정성을 확보한다는 방침이다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했다.
한편 삼성전자는 HBM4 양산 공급도 늘려나가고 있다. 속도와 전력 효율 측면에서 글로벌 고객사로부터 긍정적인 평가를 받고 있는 것으로 전해졌다. HBM4와 HBM4E가 1c D램과 4나노 베이스다이에 기반했다는 점에서 이번에 출하한 HBM4E 역시 양산 전환 가능성이 높다는 관측이 나온다.
