삼성전자가 대만 타이베이 난강전시센터 일대에서 개막한 아시아 최대 IT(정보기술) 전시회 '컴퓨텍스 2026'에서 HBM5(8세대 고대역폭메모리) 목업(Mock-Up·실물모형)을 업계 최초로 공개했다. 송재혁 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문 CTO(최고기술책임자)는 "차세대 HBM 제품들에서도 기술로 1등을 할 수 있도록 노력하겠다"며 기술력에 대한 자신감을 드러냈다.
송 CTO는 2일(현지시간) '컴퓨텍스 2026' 삼성전자 부스에서 열린 기술설명회에서 "삼성전자는 메모리, 파운드리(반도체 위탁생산), 패키징을 아우르는 종합 반도체 회사로서 AI(인공지능)이라는 종합 예술을 충분히 지원할 수 있는 회사"라며 이같이 밝혔다. 삼성전자는 이날 업계 최초로 하이브리드 본딩 기술이 적용된 HBM5 목업을 전시했다.
하이브리드 본딩 기술은 AI 메모리의 고성능화 과정에서 증가하는 발열 문제를 해결하기 위해 설계된 기술이다. 특히 PHY(Physical Layer) 영역에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계된 것이 특징이다. 삼성전자는 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 샘플에도 하이브리드 본딩을 일부 도입해 검증 과정을 진행하고 있다. 송 CTO는 "메모리 대역폭을 최고로 향상시키는 과정에서 베이스다이(HBM의 가장 밑에 있는 단) 특정 영역에 고열이 발생한다"며 "열을 방출하기 위해 굴뚝 같은 구조를 만들었고, 하이브리드 본딩 기술을 이미 여러 고객에게 샘플링했다"고 설명했다. 이어 "하이브리드 본딩 기술은 삼성전자가 '월드 퍼스트'로 준비할 수 있는 기술"이라고 강조했다.
삼성전자는 HBM5부터 베이스다이에 2나노(nm·1nm는 10억분의 1m) 공정을 적용할 계획이다. HBM4E까지는 4나노 공정이 적용된다. 베이스다이는 공정이 미세화될수록 전력 효율과 열 관리 성능이 크게 개선된다. 이에 대해 송 CTO는 "베이스다이에 2나노 공정을 적용하면 시장이 요구하는 대역폭과 전력 등을 만족시킬 수 있는 최적화된 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라고 자신했다.
1나노 미만 공정의 실현 가능성에 대해서도 긍정적인 전망을 내놨다. 송 CTO "물리적인 한계로 들어간다는 것 이외에 전체 설비나 소재의 생태계 측면에서는 잘 준비가 되고 있다"며 "1나노 이하까지도 삼성전자가 할 수 있다고 본다"고 말했다.
삼성전자는 이번 전시에서 지난달 29일 업계 최초로 고객사에 샘플을 출하한 HBM4E 웨이퍼와 칩셋도 공개했다. HBM4E는 최대 16Gbps(기가비피에스)의 데이터 전송 속도를 구현한다. 송 CTO는 차세대 HBM 샘플을 경쟁사보다 이르게 양산·출하한 배경에 대해 "자원을 투자하면서 고객의 필요에 맞춘 구체적인 기술 목록을 정리하고, AI 트렌드 변화에 맞춰 많은 노력을 하고 있다"고 전제했다. 그러면서 "HBM4E와 HBM5는 대략 12·16·20단 정도 적층될 것으로 생각한다"며 "내부적으로는 이보다 더 높은 스펙을 연구·개발해 안정적인 수율과 성능, 품질을 확보하기 위해 개발을 진행하고 있다"고 소개했다.
전시 공간에는 삼성전자의 메모리가 탑재되는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈'도 등장했다. 삼성전자는 해당 칩에 HBM4를 비롯해 LPDDR(저전력데이터더블레이트)5X 기반의 '소캠2'(SOCAMM2) 등을 지원한다. 송 CTO는 "삼성전자는 메모리와 파운드리, 패키지 등 개별 기술이 아닌 시스템 전체를 최적화할 수 있는 역량을 갖추고 있다"며 "이를 통해 엔비디아를 포함한 많은 고객의 요구에 맞춰 기술로 지원하겠다"고 말했다.