한화세미텍이 2세대 하이브리드본더(Hybrid Bonder)인 'SHB2 나노(Nano)' 개발을 완료했다고 25일 밝혔다. 올해 상반기 중 고객사에 인도해 성능 테스트를 진행할 예정이다.
하이브리드본더는 HBM(고대역폭메모리)의 성능과 생산 효율을 끌어올릴 차세대 기술로 주목받고 있다. 칩과 칩을 구리(Cu) 표면에 직접 접합하는 기술로 16~20단의 고적층 HBM도 얇은 두께로 제조가 가능하다. 칩과 칩 사이 범프(Bump·납과 같은 전도성 돌기)가 없어 기존 제품 대비 데이터 전송 속도가 빠르고 전력 소모도 적다.
한화세미텍의 'SHB2 Nano'에는 위치 오차범위 0.1μm(마이크로미터) 단위의 초정밀 정렬 기술이 적용됐다. 0.1 μm는 머리카락 굵기의 약 1000분의 1 수준이다. 2022년 1세대 하이브리드본더를 고객사에 공급한 데 이어 2세대 개발까지 성공한 만큼 이른 시일 내에 양산용 장비를 시장에 선보일 계획이다.
하이브리드본더 개발과 함께 TC(열압착)본더 시장에서의 입지도 강화한다. 한화세미텍은 지난해 TC본더 'SFM5 익스퍼트(Expert)'로 900억원 이상의 매출을 올렸고 올해에도 두 차례의 공급 계약이 성사됐다.
차세대 HBM 장비 시장 공략을 위한 2세대 TC본더도 개발하고 있다. 올해는 본딩 헤드(head) 크기를 키운 TC본더와 칩과 칩 사이 간격을 줄인 플럭스리스(Fluxless) TC본더 등을 잇달아 선보일 계획이다.
한화세미텍 관계자는 "첨단 기술 개발에 대한 지속적인 투자로 하이브리드본딩의 기술적 난제를 풀었다"며 "이번 신기술 개발로 첨단 패키징 시장을 선도할 수 있는 또 다른 발판이 마련됐다"고 말했다.