'3D-TSV' 기술 활용해 반도체 적층한 8GB 용량 서버용 D램 모듈 선봬
삼성전자가 최첨단 반도체 조립공정(패키징) 기술인 3차원(3D)-TSV(Through Silicon Via)를 적용해 서버용 8GB(기가바이트) DDR3(Double Data Rate 3) D램 메모리 모듈(사진)을 개발했다고 7일 밝혔다.
이 기술은 반도체 칩에 직접 구멍을 뚫어 동일한 칩을 수직으로 적층해 전극을 연결하는 최신 패키징 방식이다. 삼성전자는 이 기술을 활용해 2Gb(기가비트) D램을 적층시켜 서버에 들어가는 8GB 용량 'RDIMM'(Registered Dual Inline Memory Module) 제품을 구현했다.
이 기술로 D램을 적층하면 기존 와이어본딩 방식에 비해 속도를 70% 향상시킬 수 있고, 소비전력도 40% 이상 절감할 수 있다. 또 기존 제품보다 2∼4배 많은 메모리 용량을 서버에서 구현할 수 있다.
삼성전자는 이 기술을 향후 4Gb 이상 대용량 DDR3 D램에도 활용해 32GB 이상 대용량 서버용 메모리 모듈로 적용을 확대한다는 방침이다.
김창현 삼성전자 반도체사업부 전무는 "2008년 3D-TSV 기술을 활용한 D램을 처음 개발한 데 이어 서버용 메모리 모듈을 개발하는 등 이 기술 적용을 확대하고 있다"며 "앞으로도 이 기술 기반 대용량 메모리 모듈 제품군을 지속 확대해 갈 것"이라고 말했다.