머니투데이

삼성전자가 AI(인공지능) 시대의 병목을 해소할 차세대 3D(차원) HBM(고대역폭메모리)인 ' zHBM'과 세계 최초로 400단 이상 쌓아올린 10세대 V-낸드(V-NAND·수직적층 구조 낸드플래시) 모델을 제시했다. 삼성전자는 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업(Mock-up·제품 형태와 기능을 시각적으로 확인하기 위해 만든 모형)을 업계 최초로 공개했다고 밝혔다. 삼성전자는 'FMS 2026'에서 AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 부스를 선보이고 D램부터 낸드, 스토리지에 이르는 메모리 포트폴리오를 중심으로 약 30개 제품을 전시했다. 행사 첫날인 4일 오전에는 이진엽 플래시개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 'AI 혁명의 파도를 주도하기(Driving the wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture)'을 주제로 기조연설했다.

삼성전자가 AI(인공지능) 시스템의 병목을 해소하기 위한 3D(차원) 메모리·스토리지 로드맵을 제시할 전망이다. 이를 위해 지난해 발표한 z낸드(z-NAND)에 이은 차세대 HBM(고대역폭메모리) 'zHBM' 기술을 선보일 것으로 보인다. SK하이닉스도 계층형 메모리시스템을 내놓으며 차세대 AI 메모리반도체(이하 메모리) 경쟁에 가세한다. 3일 관련업계에 따르면 삼성전자는 4일(현지시간)부터 사흘간 미국 캘리포니아주 샌타클래라컨벤션센터에서 열리는 세계 최대 메모리·스토리지 콘퍼런스 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 AI 워크로드에 최적화한 3D 메모리·스토리지 기술을 공개한다. 이진엽 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)과 김경련 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 상무가 기조연설에 나설 예정이다. 삼성전자 측은 "('FMS 2026'에서) 3D 메모리·스토리지 혁신으로 AI 시스템을 재정의할 것"이라며 "AI 워크로드에 최적화한 차세대 HBM과 V낸드(V-NAND·수직적층 구조 낸드플래시) 등 기술을 소개할 예정"이라고 밝혔다.

삼성전자가 AI(인공지능) 시스템 병목 해소를 위한 3D(차원) 메모리·스토리지 로드맵을 제시할 전망이다. 이를 위해 지난해 발표한 z-낸드(z-NAND)에 이어 차세대 HBM(고대역폭메모리)인 'zHBM' 기술을 선보일 것으로 보인다. SK하이닉스도 계층형 메모리 시스템을 내놓으며 차세대 AI 메모리 반도체(이하 메모리) 경쟁에 가세한다. 3일 관련업계에 따르면 삼성전자는 오는 4일(현지시간)부터 사흘간 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 세계 최대 메모리·스토리지 컨퍼런스 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 AI 워크로드에 최적화된 3D 메모리·스토리지 기술을 공개한다. 이진엽 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)과 김경련 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 상무가 기조연설에 나설 예정이다. 삼성전자측은 "('FMS 2026'에서) 3D 메모리·스토리지 혁신으로 AI 시스템을 재정의할 것"이라며 "AI 워크로드에 최적화된 차세대 HBM과 V-낸드(V-NAND·수직 적층 구조 낸드플래시) 등 기술을 소개할 예정"이라고 밝혔다.