SEDEX 2026
삼성전자·SK하이닉스 참가
HBM 비롯 차세대 제품 전시
"저희가 더 잘하겠습니다."
14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'에서 송재혁 한국반도체산업협회장 겸 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문 사장이 한 말이다. 송 사장은 이날 글로벌 1위 파운드리(반도체 위탁생산)기업 TSMC의 디자인 파트너인 에이직랜드 부스에서 국내 팹리스(반도체 설계)기업들의 TSMC 공정 활용사례를 듣던 중 이같이 말했다. 이종민 에이직랜드 대표가 제품에 따라 삼성전자 파운드리와 TSMC를 선택해 개발과 양산을 진행한다고 설명한 직후였다.
이날 행사에는 송 사장을 비롯해 이준석 개혁신당 의원과 안현 SK하이닉스 개발총괄사장 등이 참석해 주요 반도체기업들의 기술을 살펴봤다. 올해 전시회는 메모리반도체(이하 메모리)와 시스템반도체, 소재·부품·장비 등과 관련한 300여개 기업이 참가해 역대 최대규모로 열렸다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM(고대역폭메모리)을 비롯한 차세대 AI(인공지능) 반도체 기술을 선보였다.
전시장에서는 엔비디아의 '베라루빈' 슈퍼칩 실물과 젠슨 황 엔비디아 CEO(최고경영자)의 친필 사인이 담긴 HBM 웨이퍼가 관람객들의 눈길을 끌었다. HBF(고대역폭플래시) 모형 앞에서 이 의원이 관심을 보이자 안 사장이 직접 상세한 설명을 이어갔다. 메모리 적층기술에 관한 질의응답도 오갔다. 이 과정에서 안 사장은 이 의원에게 "HBM은 여러 개의 D램 다이를 수직으로 쌓고 실리콘관통전극(TSV)으로 연결하는 방식"이라고 설명했다. 이 기술은 앞서 안 사장의 기조연설에서도 소개됐다. 그는 "메모리를 이제 부품 그 자체라고만 보지는 않는다"며 "HBM을 넘어 3차원(3D) 적층 D램과 HBF 등 새로운 메모리 계층을 구축하겠다"고 말했다.
이어 방문한 삼성전자 부스에서는 메모리부터 파운드리, 시스템반도체까지 아우르는 AI 반도체 기술이 총망라돼 있었다. 삼성전자는 7세대 HBM인 HBM4E를 비롯해 프로세서·메모리 간 거리를 줄이는 zHBM과 연산기능을 메모리에 결합한 LPDDR(저전력메모리)-PIM 등 차세대 메모리기술을 공개했다. 파운드리분야에서는 2나노(㎚·10억분의 1m) GAA(게이트올어라운드) 웨이퍼와 HBM4E용 4나노 베이스다이, 3D 첨단패키징 기술을 전시했다. 시스템반도체분야에서는 모바일 AP(애플리케이션프로세서)인 '엑시노스 2600'과 이미지센서 '아이소셀 HPC' 등을 선보이며 AI 반도체 기술의 확장성을 드러냈다.
올해 새롭게 마련한 '반도체 클러스터존'에서는 약 360조원을 투자하는 경기 용인 국가산업단지 조성계획이 펼쳐졌다. 삼성전자는 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 한다. 협력사 지원 프로그램과 동반성장 성과를 집약한 '상생협력존'도 눈길을 끌었다. 아울러 송 사장 등 참석자들은 세메스와 미코그룹, 코미코 부스를 차례로 둘러보며 투어를 마쳤다.
