"향후 예상 피해액만 수십조원"…SK하이닉스 영업비밀·국가핵심기술도 유출
검찰이 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 기술을 중국 창신메모리(CXM)로 유출한 전 삼성전자 임원 등 10명을 구속해 재판에 넘겼다. 유출된 기술은 삼성전자가 4년간 1조6000여억원을 투자해 세계 최초로 개발한 기술이다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 23일 창신메모리 개발실장 A씨 등 핵심 인력 5명을 산업기술보호법위반(국가핵심기술국외유출등) 등으로 구속 기소했다고 밝혔다. 파트별 개발책임자 등 나머지 5명은 불구속 기소됐다.
검찰에 따르면 창신메모리 1기 개발실장 50대 A씨는 삼성전자 부장 출신으로, 삼성전자 연구원 출신이자 창신메모리 투자 담당인 50대 B씨와 공모해 2016년 9월 삼성전자에서 창신메모리로 이직한 C씨를 통해 삼성전자 국가 핵심기술인 '18나노 D램 공정정보'을 빼돌렸다.
창신메모리는 중국 정부가 2조6000억원을 출자해 설립한 중국 최초이자 유일한 D램 반도체회사다.
서울중앙지검은 지난해 1월 관련 단서를 포착해 직접수사에 착수했고, A씨를 같은달 구속 기소했다. 검찰은 같은해 3월 관련자들의 주거지·사무실 등을 압수수색해 유출자료를 확보했고, 창신메모리 자료와 삼성전자 자료의 일치율이 56.7%에서 98.2%로 오른 사실을 확인했다.
수사 과정에서 A씨는 △위장회사를 통한 입사 △인근 도시 경유 입국 △귀국시 핸드폰·USB 반납 △주기적 사무실 변경 △중국 이메일 사용 △국가정보원 상시대비 행동 지시 △출국금지·체포시 암호를 전파하는 등 수사에 철저히 대비한 것으로도 드러났다.
검찰은 필체 감정을 통해 자료 유출자인 연구원 C씨를 특정하고 인터폴 적색수배 조치했다. 이후 수사를 이어나간 검찰은 지난 5월 B씨를 구속 기소하고, 2기 개발팀 전반으로 수사를 확대했다. 그 과정에서 SK하이닉스 영업비밀이자 국가핵심기술이 추가로 유출된 정황도 확인됐다. 검찰은 지난 10월 창신메모리 2기 개발실장과 팀장·수석 3명을 구속 기소했다.
창신메모리 2기 개발실장과 팀장·수석은 1기 개발팀으로부터 해당 정보를 전달받아 2018년 2월부터 2023년 초순까지 중국 설비에 맞도록 수정·검증해 중국 최초이자 세계 4번째로 10나노대 D램을 개발한 것으로 확인됐다.
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검찰 관계자는 "(기술유출로) 삼성전자의 지난해 매출액 감소만 5조원 상당으로 추정되며, 향후 국가 경제에 발생하는 피해액만 최소 수십조원에 달할 것으로 예상된다"며 "앞으로도 산업기술의 국외 유출범죄에 엄정 대응하고, 재판을 통해 범죄에 걸맞은 형을 받도록 노력하겠다"고 밝혔다.
