삼성 반도체·LCD 불황 속 '1위 저력'

삼성전자가 지난달 부품과 세트부문으로 조직개편을 단행하고 경쟁력이 처지는 부문에 대한 과감한 구조조정을 단행하는 가운데서도 반도체 부문과 액정화면(LCD) 부문에서 '세계 1위'의 저력을 선보이고 있다.

반도체 부문은 생산성이 떨어지는 생산 라인은 없애는 대신 '세계 최초' 기술들을 잇따라 선보이며 '제조 경쟁력'을 끌어 올리고 있다. LCD 부문에서도 점유율을 늘리는 등 1위 입지를 강화해가고 있다.

삼성전자는 4일 세계 최초로 40나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다고 밝혔다. 삼성전자는 이번 40나노급 D램 개발로 지난 2005년 60나노급 D램, 06년 50나노급 D램 개발에 이어 '세계 최초 개발' 기록을 이어가게 됐다.

이번에 개발된 40나노급 DDR2 제품은 지난해 12월 미국 CPU 업체인 인텔에서 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 마쳐, 즉시 제품화가 가능하다.

삼성전자는 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 40나노급 2기가 DDR3 제품을 개발 완료하고 3분기 중 양산할 예정이다.

40나노급 기술이 적용되면 보다 세밀한 공정이 가능해 지난해 9월 양산을 시작한 50나노급 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성이 약 60% 향상된다. 1개의 웨이퍼에서 1000개의 반도체를 생산해왔다면 새 공정 기술을 적용하면 1600개의 반도체를 만들어낼 수 있다는 얘기다. 그만큼 원가 경쟁력이 높아진다.

이번 기술 개발로 미국 마이크론, 일본의 엘피다 등 주요 해외 D램 업체들과의 제조 경쟁력 격차는 1~2년 이상 벌어질 것으로 보인다. 이들 업체들은 아직 60나노대 공정을 주로 적용하고 있다. 기술 격차를 줄이기 위해서는 투자가 적극적으로 이뤄져야 하지만 극심한 불황으로 자금 사정이 여의치 않을 것이라는 평가다.

삼성전자와 함께 공정 기술을 선도하고 있는 하이닉스도 3분기 중 40나노대 D램 양산에 들어갈 계획이다.

50나노급에서 제품 개발 후 양산까지 약 2년 정도 걸렸던 것이 비해 양산 기간이 1년 이상 단축된 것도 눈길을 끈다. 삼성전자는 지난해 9월 2~3년 후의 선행기술보다 당장 1~2년 후의 양산기술에 힘을 결집해 힘으로 승부하겠다는 새로운 전략을 제시했었다.

삼성전자 관계자는 "이전까지는 제품 개발을 먼저하고 양산 시점은 상황을 봐가며 양산 시점을 결정했지만 이번에는 시장 수요를 보고 그에 맞춰서 기술을 개발해 양산까지의 기간을 대폭 당기게 됐다"고 말했다.

삼성전자는 지난달 29일에는 50나노급 공정을 적용해 업계 최대용량인 4기가비트(Giga bit) DDR3 D램을 처음으로 개발하는 등 '차세대 기술 개발'에 속도를 내고 있다. 200㎜(8인치) 웨이퍼를 사용하는 반도체 10라인을 다음달까지 가동중단키로 하는 등 경쟁력이 떨어지는 생산 설비의 교체도 서두르고 있다. 경쟁력 있는 공정과 설비로 빠르게 전환해 경쟁력 우위를 유지하겠다는 전략이다.

다른 '세계 1위' 삼성전자 LCD 부문도 불황을 뚫고 '1위 위상'을 확고히 하고 있다. 시장 조사업체인 디스플레이서치에 따르면 삼성전자는 지난해 대형 LCD 패널 시장에서 1위 유지한 것으로 집계됐다. 점유율은 25.7%로 지난해 22.9%에 비해 2.8%포인트 상승했다.

분기별 시장 점유율은 지난 4분기에 29.1%까지 상승한 것으로 나타났다. 대형 LCD 출하 면적에서 절반 이상을 차지하는 LCD TV용 패널시장에서는 4분기에 33.2%의 시장점유율을 기록했다.