하이닉스반도체는 실적발표회에 앞서 열린 컨퍼런스 콜에서 "올해가 터닝포인트가 될 것"이라고 밝혔습니다.
권오철 하이닉스반도체 전무는 "낸드에서 32나노 제품을 개발하는 것을 목표"라며 "D램보다는 낸드플레시에 투자가 집중될 것"이라고 말했습니다.
권 전무는 그러나 올해 시설투자 규모와 관련해선 "1조원에 못 미칠 것이라고 덧붙였습니다.
비트로 환산한 반도체 성장률인 이른바 비트그로스에 대해서 권 전무는 "반도체를 사용하는 제품들이 예년과 비슷하거나 조금 줄어든 성장을 보일 것으로 예상한다"며 "D램 비트그로스는 20~30%, 낸드는 50%에 그칠 것"으로 내다봤습니다.