총 31조… "수요, 민첩 대응"
SK하이닉스가 경기 용인 반도체 클러스터 1기 팹(공장)에 총 31조원을 투자한다.
SK하이닉스는 25일 이사회를 열어 용인 반도체 클러스터 1기 팹에 약 21조6000억원을 신규투자하기로 결정했다. 투자기간은 2030년 12월 말까지다. 1기 팹 건설에 투입되는 총 투자규모는 2024년 7월 발표한 시설투자비 약 9조4000억원을 더해 약 31조원에 이른다. 이번 투자는 1기 팹 골조공사를 마무리하고 페이즈(Phase)2부터 페이즈6까지 총 5개 클린룸을 구축하는데 사용될 예정이다. HBM(고대역폭메모리)을 비롯한 차세대 D램 생산거점으로 활용될 1기 팹은 2개동의 골조와 6개 클린룸으로 구성된다.
SK하이닉스는 지난해 2월 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설에 착수했다. 클린룸 오픈 시점도 기존 2027년 5월에서 같은 해 2월로 앞당길 계획이다. 선제적인 생산 인프라 확보를 통해 고객대응역량을 강화하는 차원이다. SK하이닉스 관계자는 "조기가동 준비일정에 맞춰 운영체계를 적기에 구축해 미래수요에 보다 민첩하게 대응할 수 있도록 하겠다"고 말했다.
