엔비디아·구글 등서 탑재검토
내년 기점으로 시장 본격 개화
차세대 제품 주도권 경쟁 치열
메모리반도체 3사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)가 차세대 제품인 HBM4E(7세대 고대역폭메모리) 선점경쟁에 돌입했다. 내년을 기점으로 엔비디아·AMD·구글 등이 차세대 AI(인공지능)칩에 HBM4E 탑재를 시사하면서 수요가 가시화한 영향이다. HBM 공급부족이 수년간 이어질 것으로 예상되는 만큼 차세대 제품 주도권을 둘러싼 각 사의 경쟁도 한층 치열해지는 양상이다.
26일 관련업계에 따르면 HBM4E 시장은 내년을 기점으로 본격 개화할 것으로 보인다. 엔비디아와 AMD, 구글 등은 내년 출시 예정인 차세대 AI칩에 HBM4E 탑재를 검토하거나 적용을 예고한 상태다.
엔비디아는 차세대 AI 가속기 '베라루빈 울트라'에 HBM4E를 적용할 계획이다. 해당 제품에 탑재될 HBM4E는 1TB(테라바이트)급 용량을 목표로 하는 것으로 알려졌다. 이전 세대인 '베라루빈'이 HBM4 기준 최대 288GB(기가바이트)를 탑재하도록 설계된 점을 고려하면 1세대 만에 메모리 용량이 3배 이상 확대되는 셈이다.
AMD는 내년에 선보일 '인스팅트 MI500'에 HBM4E를 탑재한다. 구글 역시 차세대 TPU(텐서처리장치)에 HBM4E 채용을 검토 중인 것으로 전해졌다.
HBM 공급부족은 당분간 이어질 전망이다. 김기태 SK하이닉스 HBM 세일즈앤마케팅 담당은 지난 23일 열린 2026년 1분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "앞으로 3년간 고객들이 당사에 요청하는 (HBM) 수요는 이미 당사의 공급 캐파(CAPA·생산능력)를 훨씬 상회하는 수준"이라고 밝혔다.
메모리업체들도 HBM4E 시장선점을 위해 발 빠르게 대응한다. 삼성전자는 다음달 HBM4E의 첫 번째 샘플을 주요 고객사에 전달할 것으로 알려졌다. HBM4와 마찬가지로 10나노(nm·1nm=10억분의1m)급 6세대 1c D램 공정과 자사의 4나노 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 적용한 베이스다이(웨이퍼) 기반이다. 업계 최초로 HBM4를 양산·출하한 데 이어 HBM4E에서도 시장주도권을 확보한다는 전략이다. 또 HBM4E부터 차세대 적층기술인 하이브리드 본딩을 일부 도입한다.
SK하이닉스 역시 올 하반기에 HBM4E 샘플을 주요 고객사에 공급한다는 계획이다. 10나노급 5세대 1b D램 공정을 활용한 HBM4와 달리 1c 공정이 적용된다. D램은 공정이 미세할수록 데이터 처리속도와 전력효율이 개선되는 구조다. 베이스다이에는 TSMC의 3나노 공정을 적용하는 방안을 고려 중인 것으로 알려졌다. HBM4에서 검증된 공정을 통해 안정적 공급 기반을 마련했다면 차세대 HBM에는 성능까지 앞세워 시장주도권을 확대하겠다는 구상이다.
마이크론도 SK하이닉스와 같은 1c D램 공정과 TSMC의 3나노 베이스다이에 기반한 HBM4E 개발을 진행 중이다. 내년 하반기에 본격 양산이 목표다.
