(종합)역대 최대 규모 300여개 기업 참가…HBM4E·HBF 등 차세대 기술 총출
"저희가 더 잘하겠습니다."
14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제28회 반도체대전(SEDEX 2026)에서 송재혁 한국반도체산업협회장 겸 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문 사장이 한 말이다. 송 사장은 이날 글로벌 1위 파운드리(반도체위탁생산)기 TSMC 디자인 파트너인 에이직랜드(20,200원 ▼200 -0.98%) 부스에서 국내 팹리스(반도체 설계) 기업들의 TSMC 공정 활용 사례를 듣던 중 이같이 말했다. 이종민 에이직랜드 대표가 제품에 따라 삼성전자 파운드리와 TSMC를 선택해 개발과 양산을 진행하고 있다고 설명한 직후였다.
이날 행사에는 송 사장을 비롯해 이준석 의원과 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장 등이 참석해 주요 반도체 기업들의 기술을 살펴봤다. 올해 전시회는 메모리 반도체(이하 메모리)와 시스템반도체, 소재·부품·장비 등 300여개 기업이 참가해 역대 최대 규모로 열렸다. 특히 삼성전자(232,000원 0%)와 SK하이닉스(1,419,000원 ▼24,000 -1.66%)는 HBM(고대역폭메모리)을 비롯한 차세대 AI(인공지능) 반도체 기술을 선보였다.
송 사장 등 참석자들은 동진쎄미켐(45,800원 ▼2,700 -5.57%)과 신성이앤지를 거쳐 SK하이닉스 부스를 찾았다. SK하이닉스 측의 설명이 시작되자 송 사장은 "저는 오늘 산업협회장 입장으로 듣겠다"고 말해 웃음을 자아내기도 했다. 전시관 입구에서는 휴머노이드(인간형) 로봇이 축하 공연을 펼치자 송 사장은 나지막이 감탄하며 유심히 지켜봤다.
전시장에는 엔비디아의 베라 루빈 슈퍼칩 실물과 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 친필 사인이 담긴 HBM 웨이퍼가 관람객들의 눈길을 끌었다. HBF(고대역폭플래시) 모형 앞에서 이 의원이 관심을 보이자 안현 사장이 직접 상세한 설명을 이어갔다. 메모리 적층 기술에 관한 질의응답도 오갔다. 이 과정에서 안 사장은 이 의원에게 "HBM은 여러 개의 D램 다이를 수직으로 쌓고 실리콘관통전극(TSV)으로 연결하는 방식"이라고 설명했다. 이 기술은 앞서 안 사장의 기조연설에서도 소개된 바 있다. 그는 "메모리를 이제 부품 그 자체라고만 보지는 않는다"며 "HBM을 넘어 3차원(3D) 적층 D램과 HBF 등 새로운 메모리 계층을 구축하겠다"고 말했다.
이어 방문한 삼성전자 부스에서는 메모리부터 파운드리, 시스템반도체까지 아우르는 AI 반도체 기술이 총망라돼있었다. 삼성전자는 7세대 HBM인 HBM4E를 비롯해 프로세서·메모리 간 거리를 줄이는 zHBM과 연산 기능을 메모리에 결합한 LPDDR(저전력메모리)-PIM 등 차세대 메모리 기술을 공개했다. 파운드리 분야에서는 2나노(㎚·10억분의 1m) 게이트올어라운드(GAA) 웨이퍼와 HBM4E용 4나노 베이스 다이, 3D 첨단 패키징 기술을 전시했다. 시스템반도체 분야에서는 모바일 애플리케이션프로세서(AP)인 엑시노스 2600과 이미지센서 아이소셀 HPC 등을 선보이며 AI 반도체 기술의 확장성을 드러냈다.
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올해 새롭게 마련한 '반도체 클러스터존'에서는 약 360조원을 투자하는 경기 용인 국가산업단지 조성 계획이 펼쳐져있었다. 삼성전자는 2029년 10월 첫 생산라인 가동을 목표로 하고 있다. 협력사 지원 프로그램과 동반성장 성과를 집약한 '상생협력존'도 눈길을 끌었다. 아울러 이송 사장 등 참석자들은 세메스와 미코그룹, 코미코 부스를 차례로 둘러보며 투어를 마쳤다.
한편 송 사장은 투어를 마친 뒤 삼성전자의 4F²(포에프스퀘어)의 개발 진행 상황을 묻는 취재진의 질문에 "열심히 하고 있다"고 짧게 답했다.
