삼성전자(193,100원 ▲6,900 +3.71%)가 10나노(나노미터, 10억분의 1m) 급 6세대(1c) D램의 개발 목표 시점을 올해 6월로 미뤘다. 당초 지난해 연말에 개발을 최종 완료하고 양산에 돌입하려 했지만, 수율이 올라오지 않아 반년 가량 개발 시점을 늦췄다. 1c D램 개발이 예정대로 되지 않으면 올해 하반기 양산을 목표로 했던 6세대 고대역폭메모리(HBM4)에도 차질이 생길 수 있다.
20일 업계에 따르면 삼성전자의 1c D램 개발이 난항을 겪고 있다. 지난해 말쯤 처음으로 정상 작동하는 칩을 하나 확보하긴 했지만, 원하는 수율에 도달하지 못했다. 양산으로 넘어가기 위한 개발 시점의 수율은 통상 60~70%를 기준으로 한다.
이 때문에 내부적으로 1c D램의 수율을 70% 정도로 끌어올리는 개발 목표를 지난해 12월에서 올해 6월로 수정한 것으로 전해진다. 업계는 세대별 개발 텀을 보통 18개월 정도로 본다. 삼성전자는 2022년 12월 10나노급 5세대(1b) D램을 개발하고, 2023년 5월엔 양산을 발표했는데, 이후 1c D램 소식이 없다.
삼성전자가 1c 개발에 애를 먹으면서 경쟁사보다도 뒤처질 수 있다는 우려도 제기된다. SK하이닉스는 지난해 8월 개발을 이미 발표했고, 마이크론은 올해 4월로 내부 로드맵을 세웠다. 삼성전자가 6월 개발을 완료하면 글로벌 메모리 3사 가운데 가장 늦는 셈이다.
1c D램 개발이 늦어지면 자연스레 양산도 뒤로 밀릴 수 있다. 개발부터 양산까지의 소요 기간을 6개월 가량으로 치면, 삼성전자는 올해 말이 돼서야 1c D램 양산이 가능할 것으로 전망된다. 삼성전자는 지난해 3월 말 미국 실리콘밸리에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 밝힌 계획을 지키지 못하게 됐다. 삼성전자는 당시 차세대 D램 로드맵을 공개하며, 1c D램을 지난해 연말쯤 양산할 계획이라고 밝혔다.
삼성전자가 사활을 걸고 있는 HBM 개발에도 영향을 준다. 1c의 경우 개발 코어 제품을 DDR5(더블데이터레이트5)로 하는 경우가 많은데, 파생 제품인 HBM은 코어제품보다 개발 시점이 그 뒤다. 코어 제품이 올해 연말에 양산되면, HBM4 양산은 올해를 넘길 수도 있다는 의미다. 삼성전자는 HBM4에 1c 기술을 적용해 올해 하반기 양산하겠다고 밝힌 바 있다.
삼성전자는 올해 상반기 D램 개발에 전력을 다해 수율을 최대한 빠른 시일 내에 끌어올린다는 계획이다. 경쟁사인 SK하이닉스는 HBM4에 한 세대 전 공정인 10나노급 5세대(1b)를 적용하며 안정을 택한 반면, HBM 시장 추격자인 삼성전자는 HBM4에 1c 첨단 공정을 적용하며 승부수를 띄운 만큼 한시가 급한 상황이다. 세대가 거듭할수록 첨단 공정으로, 성능과 전력 효율이 더 좋아진다.
독자들의 PICK!
반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 1c D램의 설계도 일부 수정하는 것으로 알고 있다"며 "개발 시점을 최대한 앞당기려 노력할 것"이라고 말했다.