3Q 매출 86조·영업익 12조
DS부문 영업익 81% 증가
"삼성전자를 믿고 기다려주신 주주 여러분께 감사드립니다."(박순철 삼성전자 최고재무책임자 부사장)
삼성전자가 'HBM'(고대역폭메모리)으로 돌아왔다. DS(반도체사업)부문의 체질개선을 성공적으로 이뤄내면서 12조원이 넘는 분기실적을 거뒀다. HBM3E(5세대 HBM)의 엔비디아 공급에 이어 내년 HBM 물량수요도 이미 확보했다. 삼성전자는 HBM4(6세대 HBM) 양산을 통해 AI(인공지능)반도체의 주도권을 잡겠다는 계획이다.
삼성전자는 올해 3분기 DS부문의 영업이익이 지난해 같은 기간 대비 81.3% 증가한 7조원을 기록했다고 30일 밝혔다. 같은 기간 매출은 33조1000억원으로 13.1% 늘었다. 메모리 부분은 분기 최대 매출이었다. DS부문의 실적호조에 힘입어 3분기 삼성전자 전체 매출과 영업이익은 각각 86조617억원, 12조1661억원을 나타냈다.
AI데이터센터 설비투자 확대로 HBM뿐 아니라 일반 D램, 낸드까지 공급부족 현상이 발생한 것이 실적회복의 주요인이다. 특히 삼성전자는 고부가제품인 HBM으로 무게중심을 옮긴 것이 성과를 냈다. 지난 2분기에 발생한 재고 관련 일회성 비용도 사라졌다.
이번 실적은 단순한 경기반등이 아니라 AI 중심의 새로운 슈퍼사이클 진입신호로 읽힌다. 수요는 데이터센터와 생성형 AI로 집중되고 공급은 선단공정 전환 등으로 제한되면서 메모리 시장의 '질적 호황'이 이어졌다. 전제품에서 수요증가와 가격상승이 나타났다.
김재준 메모리사업부 전략마케팅실장(부사장)은 "AI 관련 제품 중심의 판매확대가 실적을 이끌었다"며 "3분기 HBM 판매비중은 소량 레거시(구형) 제품을 제외하면 전량 HBM3E로 전환됐고 HBM 비트 판매량은 전분기 대비 80% 이상 증가했다"고 설명했다. 특히 김 부사장은 "HBM 수요가 공급보다 빠른 속도로 늘어난다"며 "모든 고객사를 대상으로 HBM3E 양산판매를 확대하고 있다"고 강조했다. HBM3E 12단의 엔비디아 공급을 사실상 인정한 것으로 해석된다.
HBM 비중증가 등의 영향으로 삼성전자의 D램의 평균 판매가격은 전분기 대비 10%대 중반 상승했다. 4분기에는 HBM3E, 서버용 고용량 DDR5(더블데이터레이트5)·LPDDR5x(저전력DDR5X), GDDR7(그래픽DDR7) 에 집중하며 수익성을 유지할 계획이다. 차세대 HBM4는 삼성전자의 반전카드다. HBM4에 사용되는 6세대 10나노(㎚·1㎚는 10억분의1m)급 1c D램 생산확대를 통해 적극 대응할 예정이다. 삼성전자 HBM4는 업계 유일하게 최선단 1c D램 공정과 4나노 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 적용했다. 김 부사장은 "내년 HBM 생산계획은 올해 대비 대폭 확대수립했다"며 "해당 계획분에 대한 고객수요를 이미 확보했다"고 말했다. 이어 "추가적인 고객수요가 지속접수돼 HBM 증산 가능성을 내부검토 중"이라고 덧붙였다.
낸드 역시 HDD(하드디스크드라이브) 대체수요와 고용량 SSD(솔리드스테이트드라이브) 확산으로 견조한 수요가 예상된다. 파운드리부문은 적자축소 흐름이 뚜렷하다. 상반기에 일회성 비용과 저가동 영향이 있었지만 3분기 파운드리 수주규모는 역대 최고다. 4분기에는 2나노 1세대 본격 양산, 메모리 연계 제품판매로 매출과 가동률 개선을 이어갈 계획이다. 내년엔 미국 테일러팹도 본격 가동된다.
