삼성전자 반도체 사업을 담당하는 DS(디바이스솔루션)부문의 연구원이 미국 전기전자공학회(IEEE) 펠로(석학회원)로 선정됐다.
22일 삼성전자 DS부문에 따르면 송기봉 DSRA(미주 반도체연구소) 시스템LSI 연구소장 부사장과 한진우 반도체연구소 DRAM TD팀 상무가 IEEE의 '2026년 펠로'로 선정됐다. IEEE는 세계 최대 규모의 전기∙전자∙컴퓨터∙통신 분야 학회다.
'IEEE 펠로'는 전체 회원의 상위 0.1%만 오를 수 있는 권위 있는 자격이다. 전기·전자공학 전반에서 10년 이상 경험을 쌓고, 통신·반도체 등 다양한 분야에서 탁월한 연구개발 성과를 통해 산업과 사회 발전에 기여한 인물을 대상으로 해마다 IEEE 이사회가 엄정한 기준에 따라 선정한다.
글로벌 빅테크 기업들을 거쳐 삼성전자 미주 반도체연구소에 합류한 송 부사장은 현재 시스템LSI 미주 연구소를 총괄하고 있다. 현재까지 무선통신, 신호처리, 모뎀-RF(Radio Frequency) 시스템을 위한 AI 기술 등과 관련해 다수의 연구 논문을 발표했으며 80건이 넘는 특허를 보유하고 있다.
송 부사장의 펠로 선정에는 그가 오랜 기간 셀룰러 통신 분야에서 축적해 온 모뎀-RF 시스템 설계와 성능 최적화 기여가 주요하게 반영됐다. 업계 최초 5G 모뎀 개발과 5G mmWave(밀리미터파) 송수신기 기술 고도화, 엑시노스 모뎀 5400과 엑시노스 2500에 적용된 비지상 네트워크(NTN) 기술 기반 '위성 응급 서비스(Satellite SOS)' 구현 등이 높은 평가를 받았다.
미국 항공우주국을 거쳐 삼성전자에 합류한 한 상무는 200건 이상의 특허와 160편 이상의 SCI급 논문을 발표하며 메모리, 로직, 센서 등 다양한 분야에서 연구 성과를 쌓아왔다. 현재 삼성전자 DS부문 반도체연구소에서 차세대 D램 연구 조직을 담당하고 있다.
특히 차세대 3D D램 개발 공로와 그동안의 연구 성과를 인정받아 2026년 IEEE 펠로로 선정됐다. D램 셀을 평면이 아닌, 수직 방향으로 쌓아 칩 면적당 저장 용량을 확장하는 이 접근법은 차세대 메모리 기술의 핵심으로 주목받고 있다.
