中, 삼성 핵심기술 빼내 D램 개발
삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 18나노 D램 공정기술을 사용해 중국 최초로 D램을 개발한 전직 임직원 3명이 구속상태로 재판에 넘겨졌다. 검찰이 지난 5월 기술유출 사범을 적발해 구속기소한 후 개발과정에 대한 추가수사를 벌인 결과다. 검찰은 지난해 추정 피해액만 5조원으로 '유사 이래 최대 기술유출사건'이라고 강조했다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 1일 삼성전자 임원으로 재직하다 중국 CXMT(창신메모리반도체)로 이직한 양모씨 등 전직 임직원 3명을 산업기술보호법위반·부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 구속기소했다고 밝혔다. CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체회사이다.
양씨 등은 CXMT가 다른 삼성전자 출신 직원들을 영입해 부정취득한 D램 공정흐름도(PRP·Process Recipe Plan)를 토대로 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램을 양산하는데 도운 혐의를 받는다.
유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 국가핵심기술로 D램을 제조하는 수백 단계의 공정정보가 그대로 기재된 핵심정보인 것으로 나타났다.
이번 사건은 크게 기술유출 사건과 유출기술을 활용한 개발사건으로 나뉜다. 검찰은 D램 핵심기술 유출정황을 발견하고 직접수사에 착수해 지난해 1월 삼성전자 부장 출신인 CXMT 1기 개발실장 김모씨를, 지난 5월에는 연구원 출신 전모씨 등 2명을 핵심기술 부정취득 혐의로 구속기소했다. 김씨는 1심 재판에서 기술유출 역대 최고형량인 징역 7년을 선고받았다.
검찰의 추가수사 결과 CXMT는 설립 직후 김씨 등을 영입해 D램 핵심기술 확보, 핵심인력 영입을 통한 개발계획을 수립한 것으로 조사됐다. 아울러 김씨 등은 인터폴 적색수배 중인 삼성전자 퇴직자 박모씨를 통해 D램 핵심기술 유출자료를 부정취득한 것으로 나타났다. 박씨는 수백 단계의 공정정보를 노트에 베껴 적어 유출한 것으로 조사됐다.
이후 2기 개발실장을 맡아 전체 개발을 총괄한 양모씨가 1기 개발팀으로부터 전달받은 유출자료를 토대로 기술개발에 착수했다. 이들은 삼성전자의 실제 D램 제품을 분해해 유출자료를 검증하고 이를 토대로 제조테스트를 진행해 D램을 개발했고 2023년 18나노 D램 양산에 성공한 것으로 드러났다.
중국 CXMT가 18나노 D램을 양산하면서 전세계 D램 산업에서 삼성전자 등 국내 기업의 영향력은 점점 약화됐다. 특히 '저가 공세'에 나서면서 한동안 D램 가격이 낮게 유지되면서 삼성전자 등은 어려움을 겪었다.
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양씨 등은 CXMT로부터 각각 4~6년간 15억~30억원의 높은 급여를 지급받은 것으로 조사됐다.
서울중앙지검 관계자는 "이 사건으로 인한 삼성전자의 손해는 2024년 추정 매출감소액만 5조원에 이를 뿐 아니라 향후 최소 수십조원의 피해가 예상되는 등 유사 이래 최대 기술유출사건으로 확인됐다"고 밝혔다.
