삼성전자(167,800원 ▲2,000 +1.21%)가 세계 최초로 50나도급 1기가 D램을 개발, D램 50나노 시대를 열었다.
삼성전자는 지난 9월 신개념 CTF 기술을 적용한 세계 최대 용량 40나노 32기가 낸드플래시 개발 성공에 이어 최첨단 '3차원 입체 트랜지스터' 신기술 및 '복합 유전층' 신물질을 적용해 세계 최초로 50나노 1기가 DDR2 D램 개발에 성공했다고 19일 밝혔다.
50나노 공정은 현재 양산 중인 80나노 공정에 비해 3세대 앞선 기술로, 80나노 제품 대비 생산성을 2배 향상시켰으며, 작년 삼성이 세계 최초로 개발한 60나노 공정에 비해서는 생산성이 55% 향상된 최첨단 공정 기술이다.
삼성전자는 이번 개발로 개발 측면에서는 경쟁사와의 격차를 1년 이상 확대할 전망이며, 양산 측면에서도 본격 양산이 예상되는 2008년부터 독보적 수익성을 유지할 수 있는 기반을 확보했다.
이번에 개발된 50나노 기술은 초고속 동작은 물론 저소비 전력 특성이 강화된 설계 기술로, 대용량 PC용 D램, 초고속 동작이 요구되는 그래픽 D램, 저전력과 대용량이 동시에 요구되는 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용이 가능하다.
삼성전자는 이번 50나노 D램 제품을 2008년 1분기에 출시할 예정이며,50나노급 D램의 시장 창출 규모는 도입기인 2008년 50억 달러를 시작으로 2011년까지 누계로는 550억 달러에 육박할 전망이다.
50나노 1기가 D램 개발 관련 특허 출원 건수는 신규 공정, 제품 개발, 디자인 분야 등에서 해외출원 및 등록 34건, 국내 출원 17건 등 총 51건(핵심 특허 5건)이다.
삼성전자는 1983년 64K D램 개발로 D램 사업을 시작한지 23년째인 올해 D램 단일 제품 매출이 사상 처음으로 100억 달러를 달성할 것으로 기대하고 있다. 이는 반도체 최대 호황기였던 지난 95년 이후 최고 기록을 경신하는 것이다.
삼성전자는 최근 다소 주춤했던 PC시장이 윈도우 비스타(Windows Vista) 출현으로 또 다시 활기를 되찾기 시작했으며, PC 이외 응용처의 다양화 추세도 더욱 심화되고 있다고 분석했다. 이로 인해 D램 산업이 앞으로 수년간 95년 이후 최대 호황기를 맞이할 것으로 전망했다.
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전준영 상무(반도체총괄 상품기획담당) "삼성전자의 과제는 앞으로도 D램 분야 절대 1위를 지속 유지한다는 것이겠으나, 가장 중요한 건 역시 양적 경쟁력보다는 D램 신시장 창출을 핵심으로 하는 질적 경쟁력 확보"라며 "이런 의미에서 2008년부터 향후 4년간 550억 달러의 시장 형성이 예상되는 50나노 D램 시장을 선점할 수 있게 돼 50나노 1기가 D램 개발의 의미는 더욱 크다"고 말했다.