중국이 메모리 반도체 제조기술을 확보하면 막강한 대량생산 능력을 발휘할 수 있다는 견해를 일론 머스크 테슬라 CEO(최고경영자)가 밝혔다. 다만 차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 메모리 분야는 기술적 난도가 높다고 평가했다.
머스크는 13일 X(엑스)에서 중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 기술 개발과 시장 영향력을 다룬 게시물에 이 같은 취지의 댓글을 남겼다. 해당 게시물은 CXMT가 차세대 D램 셀 구조인 '4F²' 기술을 개발하고 서버용 DDR5 시장 진출을 추진하고 있다는 내용을 담았다.
머스크는 "중국은 어떤 제품의 제조 방법을 알아내면 생산 규모를 확대하는 능력이 세계 나머지 국가를 합친 것보다 뛰어난 경우가 많다"며 "리튬 배터리와 태양광 분야에서 이를 확인했다"고 밝혔다.
그는 스페이스X를 중국의 대량생산 능력이 적용되지 않는 드문 사례로 꼽으면서도 스페이스X를 제외하면 중국이 우주 궤도로 운송되는 탑재물 중량의 대부분을 차지한다고 설명했다.
메모리 반도체 시장에 대해서는 "램은 약 3년 전까지만 해도 이익률이 낮은 범용 제품이었다"며 "메모리는 다를 수도 있지만 LP5와 LP6는 공통 표준에 맞춰 설계되며 중국이 관련 기술을 빠르게 해결하고 있는 것으로 보인다"고 말했다. LP5와 LP6는 저전력 D램 규격인 LPDDR5와 LPDDR6를 가리키는 것으로 풀이된다.
반면 차세대 메모리 분야에서는 기술적 장벽이 높다고 봤다. 머스크는 "새로운 HBM 아키텍처와 로직 반도체 아래에 SRAM을 배치하거나 로직 위에 RAM을 3차원으로 적층하면서 냉각 문제를 해결하는 기술은 더 어려울 것"이라고 전망했다.
CXMT가 추진하는 4F²는 D램 셀의 면적을 반도체 최소 선폭(F)의 제곱을 기준으로 나타낸 구조다. 기존에 널리 쓰이는 6F² 구조보다 셀 면적을 줄여 집적도를 높일 수 있다는 점에서 주목받는다. 다만 기술 개발과 상용화는 별개로, 실제 경쟁력을 확보하려면 수율과 생산 안정성 등을 입증해야 한다.
머스크의 발언은 중국이 표준화된 메모리 제품에서 생산 규모를 빠르게 확대할 가능성이 있지만 첨단 패키징과 열 관리 기술 등이 요구되는 차세대 HBM에서는 기술적 장벽이 상대적으로 높다는 의미로 풀이된다.
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삼성전자(237,500원 ▼13,000 -5.19%)와 SK하이닉스(1,507,000원 ▼98,000 -6.11%) 등 국내 메모리 기업 입장에서도 중국의 범용 메모리 시장 진입과 차세대 HBM 기술 경쟁은 구분해서 살펴볼 필요가 있다. 중국의 대량생산 능력이 경쟁 구도를 바꿀 수 있는 반면 첨단 메모리에서는 기술적 난제를 얼마나 먼저 해결하느냐가 경쟁력을 좌우할 전망이다.
