삼성電, 40나노 32기가 낸드플래시 개발

삼성전자(167,800원 ▲2,000 +1.21%)가 32기가 낸드 플래시 상용화에 성공했다. 메모리 용량은 1년에 두배씩 커진다는 황의 법칙을 7년 연속 입증했다.

삼성전자는 기가바이트 단위의 메모리 용량이 2010년 이후 1000배 크기인 테라바이트, 100만배 크기인 페타바이트 수준으로 키우는 교두보를 마련했다.

삼성전자 반도체총괄 황창규 사장은 11일 신라호텔에서 기자간담회를 갖고 "반도체 기술의 한계를 극복한 CTF(Charge Trap Flash)낸드기술 개발과 상용화에 세계 최초로 성공했다"고 밝혔다.

삼성전자는 CTF 기술을 이용한 40나노 32기가 낸드플래시, 신물질 메모리 512메가 P램, 신개념 하이브리드 드라이브용 SoC(System on Chip) 등의 반도체 신제품을 발표했다.

CTF기술은 지난 71년 비휘발성 메모리가 개발된 이후 35년간 사용된 반도체 플래시 기술의 한계를 뛰어넘는 새로운 메모리 반도체 기술이다.

기존에 부도체와 도체내에 전하를 저장하던 방식에서 벗어나 부도체 내 charge trap에 전하를 저장, 셀간 간섭 문제를 극복했다. 반도체 구성 물질도 타노스란 신물질로 구성됐다.

CTF기술은 기존 제품의 한계인 50나노 장벽을 허물고 20나노 256기가 낸드플래시가 까지 적용이 가능하며 향후 10년간 250조원의 시장을 창출할 수 있는 것으로 기대된다.

황창규 사장은 "CTF기술에 대한 5년간의 연구활동을 통해 155개 원천특허와 개량 특허를 확보했다"며 "삼성전자 독자기술로 반도체 기술을 선도하고 경쟁사와 기술격차를 더욱 벌릴 수 있게 됐다"고 말했다.

삼성전자는 이번 CTF기술로 반도체 공정수를 20% 축소하고, 2010년이후 테라(기가바이트의 1000배) 시대를 열수 있는 교두보를 마련했다고 평했다.

삼성전자가 이번에 상용화에 성공한 40나노 32기가 낸드플래시는 메모리신성장론을 7년 연속 입증한 것이란 의미도 담고 있다. 메모리 신성장론은 황창규 사장이 주창한 기술로 메모리 용량은 1년에 두배씩 성장한다는 이론이다.

40나노 반도체 기술은 머리카락 두께 1/3000의 초미세 기술이다. 32기가바이트 메모리는 세계 인구 65억명의 5배에 해당하는 328억개의 메모리 기본소자가 한개의 오동작없이 엄지손톱만한 크기에 집적돼 있음을 뜻한다. Mp3 음악파일 8000곡을 저장할 수 있다.

삼성전자는 2008년 32기가 낸드플래시를 양산하고, 128기가 SSD로 기존 1.8인치 하드디스크를 완전 대체할 수 있을 것으로 전망했다.

또 64기가 바이트 메모리 카드 제작이 가능해 고해상도 사진 3만6000장, 영화 40편을 저장하는 기술도 선보일 전망이다.

40나노 기술로 구현된 낸드플래시 시장은 2008년 이후 5년간 약 500억달러 규모로 커질 것으로 예측된다.

PC에 적용되는 낸드플래시 시장은 2010년까지 누적 170억달러 규모로 커질 전망이고, 낸드플래시 시장 중 비중은 올해 3%에서 2010년엔 26%로 커질것으로 내다봤다.

황창규 사장은 "삼성은 단지 제품 개발뿐 아니라 남보다 앞선 신시장 창출에 노력하고 있다"며 "지난해에 플래시 러시의 해였다면 올해는 새로운 디지털 세상을 여는 플래시토피아로의 진입을 준비하는 해가 될 것"이라고 강조했다.

황 사장은 "반도체 회사는 이제 제품 공급자가 아닌 토탈 솔루션 공급자로 거듭나야 한다"며 "기업의 모든 활동을 고객을 중심으로 재정비, 최고의 고객 친화적 솔루션을 제공하는 것이 삼성전자 반도체 사업의 최종 목표다"고 덧붙였다.