삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 18나노 D램 공정기술을 빼돌려 중국 최초로 D램을 개발한 전직 임직원 3명이 구속상태로 재판에 넘겨졌다. 검찰은 지난해 추정 피해액만 5조원으로 '유사 이래 최대 기술유출사건'이라고 강조했다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 1일 삼성전자 임원으로 재직하다 중국 CXMT(창신메모리반도체)로 이직한 양모씨 등 전직 임직원 3명을 산업기술보호법위반·부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 구속기소했다고 밝혔다.
양씨 등은 CXMT가 다른 삼성전자 출신 직원들을 영입해 부정취득한 D램 공정기술을 토대로 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램을 양산하는 데 도운 혐의를 받는다.
유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 국가핵심기술로 D램을 제조하는 수백 단계의 공정정보가 그대로 기재된 핵심정보인 것으로 나타났다.
양씨 등은 CXMT로부터 각각 4~6년간 15억~30억원의 높은 급여를 지급받은 것으로 조사됐다.
서울중앙지검 관계자는 "이 사건으로 인한 삼성전자의 손해는 2024년 추정 매출감소액만 5조원에 이를 뿐 아니라 향후 최소 수십조원의 피해가 예상되는 등 유사 이래 최대 기술유출사건으로 확인됐다"고 밝혔다.
