중국 우시 공장 등 설비투자 관련 장비 발주
하이닉스(1,940,000원 ▲195,000 +11.17%)반도체가 중국 우시 공장과 경기도 이천 공장의 최첨단 50나노대 공정의 D램 생산 비중을 대폭 높인다.
20일 하이닉스 관계자는 "유럽 뉴모닉스와 함께 중국 우시 합작법인 내 54나노공정 D램 생산 비중을 늘리는 등 하이닉스 전체 공정 중 54나노 비중을 현재 30%에서 연말 기준 50%로 늘리기 위한 설비 투자를 진행하고 있다"고 밝혔다.
54나노공정은 반도체 회로와 회로 사이의 폭(회로선폭)이 54나노미터(㎚, 1㎚는 10억분의 1m)로 머리카락 굵기의 약 2000분의 1 두께에 불과한 최첨단 반도체 제조공정이다.
D램을 54나노공정으로 생산하면 하이닉스가 종전에 양산했던 66나노공정에 비해 300㎜ 크기 단일 반도체 원판(웨이퍼) 기준으로 생산량을 20∼30% 가량 늘릴 수 있다. 때문에 D램 원가를 절감하고 반도체 칩 하나당 크기도 줄일 수 있다.
하이닉스는 54나노공정 생산 비중을 늘려 1기가비트(Gb)∼2Gb DDR3 생산량을 늘릴 계획이다. 하이닉스는 우선 중국 법인 내 공정을 54나노공정으로 전환하기 위해 최근주성엔지니어링(185,200원 ▲6,700 +3.75%)테스(120,100원 ▲3,700 +3.18%)유진테크(129,500원 ▲7,300 +5.97%)등 협력사들을 대상으로 장비를 발주했다.