삼성전자(297,500원 ▲21,500 +7.79%)가 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 2기가비트 DDR3 D램 제품 양산에 들어갑니다.
삼성전자가 이번에 양산에 들어가는 공정은 반도체 회로와 회로간 폭이 46나노미터에 불과합니다.
삼성전자는 "이번에 양산하는 40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 50나노급 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다"고 밝혔습니다.
한편 하이닉스반도체는 3분기 말쯤 삼성전자보다 더 미세한 44나노미터 공정으로 D램 양산에 들어갈 예정입니다.