단독 삼성전자, 세계 최초 10나노급 낸드 내년 상반기 양산

삼성전자(206,000원 ▲2,000 +0.98%)가 내년 상반기 세계 최초로 10나노급 낸드플래시 양산에 돌입한다. 물리적 한계점으로 일컬어지는 10나노급 진입 성공으로 메모리 반도체 시장에서 경쟁사들과 격차를 한 단계 더 벌리게 될 전망이다.

삼성전자는 오는 11일까지 열리는 '삼성 기술전 2011'에서 10나노급 낸드플래시 메모리 제품을 선보였다. 삼성전자는 삼성종합기술원에서 시제품으로 개발한 이 낸드플래시를 기반으로 64기가바이트(GB) 용량의 마이크로 SD카드를 내년 상반기 중 양산할 예정이다.

4세대 스마트폰 등 대용량 모바일 기기에서 촬영한 풀HD급 대용량 영상을 저장할 수 있는 마이크로 SD 메모리카드는 현재까지 상용화된 제품 중 가장 작은 메모리카드다.

삼성전자는 지난해 30나노급 32GB 낸드플래시를 기반으로 한 마이크로SD카드에

이어 올해 5월 20나노급 낸드플래시 기반의 클래스10(Class10) 32GB 마이크로SD카드를 업계 최초로 양산하고 있다.

최근 고성능 모바일 기기가 늘어나면서 고용량 마이크로SD카드에 대한 수요가 커지고 있다. 그러나 현재 20나노급 낸드플래시에서는 64GB로 용량을 늘리는 것이 어려워 10나노급 기술 개발이 시급한 과제로 대두됐다.

이에 따라 삼성전자는 이번 삼성 기술전에 선보인 10나노급 낸드플래시 시제품을 바탕으로 내년 초까지 제품개발을 마친 후 내년 상반기 중 양산에 들어갈 계획이다. 지난달 가동에 들어간 경기도 화성 메모리 16라인에서 생산될 것으로 보인다.

특히 이번 10나노급 개발은 단순히 미세공정을 한 단계 높인 것에 그치지 않는다. 20나노급까지는 셀구조 개선이나 신물질 적용, 고효율 셀과 적층 개발 등으로 도달이 가능하지만 10나노급부터는 미세화에 필요한 기술의 차원이 다르다는 것이 그동안 업계의 시각이었다. 기술적 한계를 뛰어넘기 위한 투자 규모도 막대해 반도체 업체들이 쉽게 뛰어들지 못하는 분야로 여겨져 왔다.

앞서 도시바-샌디스크가 19나노미터 공정기술을 적용한 64기가비트(Gb) 낸드플래시 시제품을 올 상반기에 선보이고 7월부터 양산한다는 계획을 밝힌 바 있으나 아직 시장에 제품을 내놓지 못한 상태다. 도시바가 7월부터 가동한 FAB5에서는 주로 20나노대의 제품을 생산하고 있으며 성능 면에서도 20나노급 제품과 크게 다르지 않는 것으로 평가되고 있다.

삼성전자는 지난 2010년 4월 20나노급 낸드플래시 양산에 성공한 후 세계 최고속, 저전력 기술의 낸드플래시 제품을 내놓으며 시장을 주도하고 있다. 낸드플래시는 최근 스마트폰과 스마트패드 등 모바일 제품 수요가 급증하면서 그 중요성이 더욱 높아지고 있다.

한편 삼성기술전은 삼성그룹 계열사들의 내년 먹거리를 투영할 신기술과 미래 트렌드를 공유하는 자리로 지난 2001년부터 매년 비공개 행사로 열리고 있다. 계열사 연구원들이 참가해 신기술 동향을 파악하고 전문분야 지식을 공유하는 데 주 목적을 두고 있으며 전시 기간에는 해외 대학의 석학과 기술전문가들이 초청돼 삼성 연구원들과 미래 기술을 토론하는 삼성학회 부대행사도 열린다.