3nm 초박막 강유전체 소자에 전압 가해 작동 과정 직접 관찰…고성능 메모리·인공지능 반도체 성능 향상 기대
한국에너지공과대학교(이하'켄텍')는 오상호 교수 연구팀이 차세대 비휘발성 메모리 소자인 강유전체 터널접합(FTJ)에서 분극 전환을 방해하는 계면 결함의 작동 원리를 원자 수준에서 규명했다고 8일 밝혔다.
연구팀은 실제 소자에 전압을 가한 상태에서 원자층별 분극 변화를 직접 관찰했다. 강유전체는 외부 전압을 제거한 뒤에도 내부의 전기적 방향성인 '분극'이 남고, 전압으로 그 방향을 바꿀 수 있는 물질이다.
FTJ는 수 nm 두께의 강유전체를 두 전극 사이에 넣어 분극 방향에 따라 저항을 바꾸고 정보를 저장한다. 이 특성은 비휘발성 메모리뿐 아니라, 저장과 연산을 같은 소자에서 수행하는 '로직-인-메모리'와 뇌 신경망의 작동을 모사하는 '뉴로모픽 소자'에 활용될 수 있다.
다만 강유전체층이 원자 몇 층 수준으로 얇아지면 전극과 맞닿는 계면의 작은 결함이 분극 전환을 방해해 소자 성능을 제한할 수 있다. 이러한 영향은 알려져 있었지만, 실제 작동 중인 소자에서 어떤 결함이 어떻게 작용하는지는 직접 확인되지 않았다.
연구팀은 백금(Pt), 바륨티타늄 강유전 산화물(BaTiO3), 전도성 산화물 전극(LSMO)을 차례로 쌓은 FTJ를 분석했다. BaTiO3는 전압으로 분극 방향을 바꿀 수 있는 대표적인 강유전체다.
원자분해능 주사투과전자현미경(STEM) 안에서 소자에 전압을 직접 가하면서, 약 3nm 두께의 BaTiO3 내부 티타늄(Ti) 원자의 미세한 위치 변화를 측정해 분극 방향을 원자층 단위로 추적했다.
그 결과 위쪽 Pt/BaTiO3 계면에서는 산소 원자가 빠진 '산소 공공'이 연속적으로 모여 분극을 한 방향으로 강하게 붙잡았다. 아래쪽 BaTiO3/LSMO 계면에서는 일부 La 원자가 Mn 자리를 대신한 '양이온 자리 결함'이 주변 구조를 변형시켜 국소적으로 분극을 고정했다.
두 계면의 결함이 서로 다른 방식으로 동시에 작용하면서, 반대 방향의 전압을 가해도 강유전체 전체가 완전히 뒤집히지 않았다. 그 결과 내부에는 서로 반대 방향의 분극이 맞닿는 경계가 남았다.
연구팀은 이처럼 양쪽 계면에서 서로 다른 결함이 분극을 붙잡는 현상을 '비대칭 이중 계면 고정 메커니즘'으로 규명했다. 연구 결과는 국제학술지 'Science Advances'에 지난달 16일 게재됐다.
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오 교수는 "초박막 강유전체 소자에서는 재료 자체뿐 아니라 전극과 맞닿는 원자 몇 층의 상태가 성능을 좌우한다"며 "산소 결손과 원자 자리 결함을 줄이도록 계면을 설계하면 분극 방향을 더 안정적으로 바꾸고 메모리 성능을 높일 수 있을 것이다"고 말했다.
