티에스다이나믹(대표 박동식)이 수직 배향 탄화규소(SiC) 시트 합성 기술에 대한 특허를 획득했다고 29일 밝혔다. 특허명은 'SiC 시트, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 고방열 고분자 복합재료'다.
이번 특허는 수직으로 배열된 그래핀 시트를 열처리해 SiC 시트를 합성하는 원천 기술로, 핵심은 '수직 배향'이다.
업체 관계자는 "일반 고분자 소재는 열전도도가 낮아 열이 잘 빠져나가지 못한다"며 "이 SiC 시트를 복합재료에 수직으로 배열하면 두께 방향의 열전도도를 높일 수 있다"고 설명했다.
회사에 따르면 SiC 나노파티클을 무작위로 분산시켰을 때 열전도도는 약 0.52W/m·K였지만, 수직 배열 SiC 시트를 적용하자 두께 방향 열전도도가 약 14.32W/m·K로 나타났다. 또 기존 탄소계 방열 소재 대비 전기 전도도가 낮아 절연성이 우수하다고도 덧붙였다.
회사는 이번 특허와 지난 1월 등록된 나노필러 합성 특허 1건, 우선심사 중인 특허 3건을 바탕으로 차량용 디스플레이와 반도체 패키징용 맞춤형 방열 시트(패드)를 사업화할 계획이다. 화성산업진흥원 지원사업을 기반으로 고객사별 맞춤형 공급을 추진한다.
회사 측은 수직 배향 고방열 원천 기술을 바탕으로 디스플레이·반도체 분야의 발열 문제를 보완할 수 있는 열 관리 소재를 공급할 계획이라고 했다.
박동식 티에스다이나믹 대표는 "이 기술을 적용하면 얇은 두께를 유지하면서 수직 방향으로 열을 빠르게 방출할 수 있다"며 "스마트폰·태블릿을 비롯해 고전류 반도체 칩과 디스플레이 모듈에 적용이 가능하다"고 말했다.