안현 SK하이닉스 사장 "HBM 넘어 새로운 메모리 시대 열겠다"

SEDEX 2026서 기조연설…3D 적층 D램·HBF 개발 강조 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 14일 "메모리를 이제 부품 그 자체라고만 보지는 않는다"고 말했다. AI(인공지능) 추론 확대로 기존 메모리의 성능과 용량에 한계가 나타나면서 HBM(고대역폭메모리)을 넘어 3차원(3D) 적층 D램과 HBF(고대역폭플래시) 등 새로운 메모리 계층을 구축하겠다는 전략이다. 안 사장은 이날 서울 강남구 코엑스에서 열린 제28회 반도체대전(SEDEX 2026) 기조연설에서 "메모리의 개발이나 표준화, 생산능력 확보는 수요가 형성되기 전부터 미리 준비돼야 한다"며 이같이 말했다. AI 기술의 확산 속도가 빨라지고 데이터 처리량이 급증하면서 기존 메모리 구조만으로는 수요에 대응하기 어렵다고 진단했다. 따라서 안 사장은 AI 산업의 성장 속도에 맞춰 메모리 개발 방식도 바뀌어야 한다고 밝혔다. AI 에이전트가 수행하는 작업이 복잡해지고 처리해야 할 데이터가 늘면서 메모리 수요가 빠르게 증가하고 있다는 설명이다. 특히 메모리 계층 간 데이터 이동이 AI 시스템의 성능을 제한하는 주요 원인이라고 지적했다. 안 사장은 &q

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